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Flash ROM驅動示例

Flash的讀寫一向比較麻煩,特別是寫,這要非常了解硬件才行。 Flash操作的大概步驟: flash讀寫操作中,讀應該很簡單,和RAM一樣,寫就復雜一點. IntelTE28F320C3的flash是4M空間 flash空間,劃分成許多的block,IntelTE28F320C3的flash是4M空間,64個block,每個blo

Flash的讀寫一向比較麻煩,特別是寫,這要非常了解硬件才行。

Flash操作的大概步驟:

flash讀寫操作中,讀應該很簡單,和RAM一樣,寫就復雜一點. 
Intel TE28F320C3的flash是4M空間
flash空間,劃分成許多的block,Intel TE28F320C3的flash是4M空間,64個block,每個block由64K.
要對所有的block單獨進行操作, 每個操作結束,都需要判斷狀態, 
每個block操作的大概步驟如下: 
1.unlock 
2.erase 
3.check empty 
所有的block完成上述操作,且狀態正確,才能進行下一步,寫 
4.write

Intel Flash芯片 i28f160,i28f320:

 

i28F320B: 64*64K,64個blocks,4M空間,每個block 64K,第一個64K由8個8*8K小blocks組成.

每個Black可以被獨立擦寫(壽命周期) 100,000次以上

Flash操作的大概步驟:

flash讀寫操作中,讀應該很簡單,和RAM一樣,寫就復雜一點. 
Intel TE28F320C3的flash是4M空間
flash空間,劃分成許多的block,Intel TE28F320C3的flash是4M空間,64個block,每個block由64K.
要對所有的block單獨進行操作, 每個操作結束,都需要判斷狀態, 
每個block操作的大概步驟如下: 
1.unlock 
2.erase 
3.check empty 
所有的block完成上述操作,且狀態正確,才能進行下一步,寫 
4.write 

ARM匯編程序

     LDR r2, =FlashBase                     ;Flash起始地址

//第一步,UNLOCK的64個block,步驟和上邊一樣


          MOV r1,#63                       ;63x64k block 計數 


01     LDRB   r3, =X16_FLASH_COMMAND_CONFIG_SETUP

          STRB          r3, [r2]           ;該block的首地址  

          LDRB          r3, =X16_FLASH_COMMAND_UNLOCK_BLOCK

          STRB          r3, [r2]           ;將Unlock命令寫入

          ADD r2, r2, #0x10000             ;64K
          SUBS          r1, r1, #1
          BNE %b01                            
;Unlock OK                                 ;Unlock 完成

//第二布,擦除blocks

        LDR         r0, =FlashBase
        LDR         r1,=63                       ;擦除 63x64k block
01    LDR     r3, =X16_FLASH_COMMAND_ERASE
        LDR     r2, =X16_FLASH_COMMAND_CONFIRM   
        ORR         r3, r3, r2, LSL #16
        STR         r3, [r0]
        LDR     r3, =X16_FLASH_COMMAND_STATUS ;檢查寄存器狀態
        STRB    r3, [r0]
02    LDRB    r3, [r0]                              ;讀狀態
        TST         r3, #X16_FLASH_STATUS_READY 
        BEQ     %b02                          ;若狀態ready,執行下一個   
        TST     r3, #X16_FLASH_STATUS_ERROR
        BNE     error_erase_block
        ADD         r0, r0, #0x10000
        SUBS    r1, r1, #1
        BNE         %b01
        B         EraseOK
error_erase_block
..............
;EraseOK                               ;擦除完成

//第三步,檢查flash是否為空

;Check Flash Empty
        LDR         r4, =FlashBase
        LDR         r5, =0x100000                    ;檢查 1MB
        LDR         r0, =0xffffffff
loop_1
        LDR         r1, [r4]
        CMP         r1, r0                     ;比較地址內容和0xffffffff
        BNE         empty_error
       ADD         r4, r4, #4
        CMP         r4, r5
        BLO         loop_1
        B         CheckOK
empty_error
.................
CheckOK
.................

;Check empty OK                        ;檢查完成  

//第四步,寫flash

;Burn data to Flash ROM

        LDR         r6, =Length_Flash           ;定義數據長度
        LDR         r0, =FlashBase
        LDR         r1, =BufferBase
        MOV         r9, #0
        LDR         r4,=0x10000000
        LDR         r7,=0xc0001000
        STR         r4,    [r7]
        LDR         r1, [r1, r9]

03    LDR     r3, =X16_FLASH_COMMAND_WRITE
        STRB    r3, [r0]                                         ;把寫命令放入Block首地址
       LDR     r3, =X16_FLASH_COMMAND_STATUS   
        LDR         r2, [r7]                                          
        LDR         r5, =0x0000ffff            
        AND         r2, r2, r5
        ORR         r2, r2, r3, LSL #16
        STR         r2, [r0]        
02    LDR         r3, [r0]                                 ;讀狀態寄存器狀態
        TST         r3, #X16_FLASH_STATUS_READY   
        BEQ     %b02                          ;若狀態ready,執行下一個

        LDR     r3, =X16_FLASH_COMMAND_WRITE
        LDR         r2, [r7]            
        LDR         r5, =0xffff0000                             ;
        AND         r2, r2, r5
        ORR         r3, r3, r2
        STR         r3, [r0]

        LDR     r3, =X16_FLASH_COMMAND_STATUS
        STRB    r3, [r0]            
02    LDR         r3, [r0]                             ; read status
        TST         r3, #X16_FLASH_STATUS_READY
        BEQ     %b02

        LDR     r4, =X16_FLASH_COMMAND_READ
        STRB    r4, [r0]
        ADD         r0, r0, #4
        LDR         r8, [r7]
        ADD         r8, r8,#1
        STR         r8, [r7]
        ADD         r8, r8, #4
writenext

        SUBS     r6, r6, #4         ;if no finished goto 03
        BHI         %b03
        TST     r3, #X16_FLASH_STATUS_ERROR
        BNE     error_write
        LDR     r3, =X16_FLASH_COMMAND_READ
        STRB    r3, [r0]
        B         BurnOK
error_write
    ..........
BurnOK

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