Flash的讀寫一向比較麻煩,特別是寫,這要非常了解硬件才行。
Flash操作的大概步驟:
flash讀寫操作中,讀應該很簡單,和RAM一樣,寫就復雜一點.
Intel TE28F320C3的flash是4M空間
flash空間,劃分成許多的block,Intel TE28F320C3的flash是4M空間,64個block,每個block由64K.
要對所有的block單獨進行操作, 每個操作結束,都需要判斷狀態,
每個block操作的大概步驟如下:
1.unlock
2.erase
3.check empty
所有的block完成上述操作,且狀態正確,才能進行下一步,寫
4.write
Intel Flash芯片 i28f160,i28f320:
i28F320B: 64*64K,64個blocks,4M空間,每個block 64K,第一個64K由8個8*8K小blocks組成.
每個Black可以被獨立擦寫(壽命周期) 100,000次以上
Flash操作的大概步驟:
flash讀寫操作中,讀應該很簡單,和RAM一樣,寫就復雜一點.
Intel TE28F320C3的flash是4M空間
flash空間,劃分成許多的block,Intel TE28F320C3的flash是4M空間,64個block,每個block由64K.
要對所有的block單獨進行操作, 每個操作結束,都需要判斷狀態,
每個block操作的大概步驟如下:
1.unlock
2.erase
3.check empty
所有的block完成上述操作,且狀態正確,才能進行下一步,寫
4.writeARM匯編程序
LDR r2, =FlashBase ;Flash起始地址
//第一步,UNLOCK的64個block,步驟和上邊一樣
MOV r1,#63 ;63x64k block 計數
01 LDRB r3, =X16_FLASH_COMMAND_CONFIG_SETUPSTRB r3, [r2] ;該block的首地址
LDRB r3, =X16_FLASH_COMMAND_UNLOCK_BLOCK
STRB r3, [r2] ;將Unlock命令寫入
ADD r2, r2, #0x10000 ;64K
SUBS r1, r1, #1
BNE %b01
;Unlock OK ;Unlock 完成//第二布,擦除blocks
LDR r0, =FlashBase
LDR r1,=63 ;擦除 63x64k block
01 LDR r3, =X16_FLASH_COMMAND_ERASE
LDR r2, =X16_FLASH_COMMAND_CONFIRM
ORR r3, r3, r2, LSL #16
STR r3, [r0]
LDR r3, =X16_FLASH_COMMAND_STATUS ;檢查寄存器狀態
STRB r3, [r0]
02 LDRB r3, [r0] ;讀狀態
TST r3, #X16_FLASH_STATUS_READY
BEQ %b02 ;若狀態ready,執行下一個
TST r3, #X16_FLASH_STATUS_ERROR
BNE error_erase_block
ADD r0, r0, #0x10000
SUBS r1, r1, #1
BNE %b01
B EraseOK
error_erase_block
..............
;EraseOK ;擦除完成//第三步,檢查flash是否為空
;Check Flash Empty
LDR r4, =FlashBase
LDR r5, =0x100000 ;檢查 1MB
LDR r0, =0xffffffff
loop_1
LDR r1, [r4]
CMP r1, r0 ;比較地址內容和0xffffffff
BNE empty_error
ADD r4, r4, #4
CMP r4, r5
BLO loop_1
B CheckOK
empty_error
.................
CheckOK
.................;Check empty OK ;檢查完成
//第四步,寫flash
;Burn data to Flash ROM
LDR r6, =Length_Flash ;定義數據長度
LDR r0, =FlashBase
LDR r1, =BufferBase
MOV r9, #0
LDR r4,=0x10000000
LDR r7,=0xc0001000
STR r4, [r7]
LDR r1, [r1, r9]
03 LDR r3, =X16_FLASH_COMMAND_WRITE
STRB r3, [r0] ;把寫命令放入Block首地址
LDR r3, =X16_FLASH_COMMAND_STATUS
LDR r2, [r7]
LDR r5, =0x0000ffff
AND r2, r2, r5
ORR r2, r2, r3, LSL #16
STR r2, [r0]
02 LDR r3, [r0] ;讀狀態寄存器狀態
TST r3, #X16_FLASH_STATUS_READY
BEQ %b02 ;若狀態ready,執行下一個
LDR r3, =X16_FLASH_COMMAND_WRITE
LDR r2, [r7]
LDR r5, =0xffff0000 ;
AND r2, r2, r5
ORR r3, r3, r2
STR r3, [r0]
LDR r3, =X16_FLASH_COMMAND_STATUS
STRB r3, [r0]
02 LDR r3, [r0] ; read status
TST r3, #X16_FLASH_STATUS_READY
BEQ %b02
LDR r4, =X16_FLASH_COMMAND_READ
STRB r4, [r0]
ADD r0, r0, #4
LDR r8, [r7]
ADD r8, r8,#1
STR r8, [r7]
ADD r8, r8, #4
writenext
SUBS r6, r6, #4 ;if no finished goto 03
BHI %b03
TST r3, #X16_FLASH_STATUS_ERROR
BNE error_write
LDR r3, =X16_FLASH_COMMAND_READ
STRB r3, [r0]
B BurnOK
error_write
..........
BurnOK