一、NandFlash內部結構:
不同開發板使用的NandFlash的型號可能不一樣，本文只是以K9F1208U0M為例做個簡單介紹。引腳描述如下所示：
NandFlash存儲單元結構圖如下所示：
Device、Block和Page之間的關系---1 Device = 4,096 Blocks = 4096*32 Pages = 128K Pages；1 Block = 32 Page；1 Page = 528 Byte = 512 Byte + 16 Byte。其中1 Page中包含有數據寄存器512 Byte和16 Byte的備用位用於ECC校驗存儲。所以有528 columns * 128K rows(Pages)。1 Page中的512 Byte的數據寄存器又分為兩個部分1st 256 Bytes和 2nd 256 Bytes。用於數據存儲的單元有 512 Bytes * 32 Pages * 4096 Blocks = 64 MB，用於ECC校驗單元有16 Bytes * 32 Pages * 4096 Blocks = 2MB 。
二、NandFlash命令字:
操作NandFlash時，先傳輸命令，然後傳輸地址，最後進行數據的讀/寫。K9F1208U0M的命令字如下所示：
由於尋址需要26bit的地址，該26bit地址通過四個周期發送到NandFlash，如下圖所示：
Read 1操作：該操作是對512 Bytes * 32 Pages * 4096 Blocks = 64 M的數據寄存器進行尋址。第一個周期發送A7~A0的8bit Column地址，8bit的尋址范圍是0~255，只能對1st 256 Bytes部分進行尋址。00h命令是1st 256 Bytes部分尋址。當發送01h命令時，A8將會被置1，此時尋址范圍變成了256~511了，所以01h命令是對2nd 256 Bytes部分進行尋址。(*注意：A8在發送00h命令後被清0，在發送01h命令後被置1，並且在發送01h對2nd尋址完畢後，A8會自動清0，指針會自動地指向1st)；第二個周期的A9~A13的5bit是對Page進行尋址(因為1 Block = 32 Pages，5bit的尋址范圍是0~31，可以對1 Block裡面的所有Page進行尋址)。A14~A25的12bit則是對Block進行尋址，12bit的尋址范圍是0~4095，對整個Device的4096個Blocks進行尋址。Read 2操作：該操作是對16 Bytes * 32 Pages * 4096 Blocks =2MB的備用位(ECC)進行尋址。50h命令為Read2操作，對1 Page裡面的後16 Byte尋址。這樣，通過四個周期的發送即可對整個Device的所有存儲單元進行尋址。